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SI3867DV-T1-E3相關(guān)信息：

制造商：Vishay產(chǎn)品種類：MOSFET小信號RoHS：是配置：SingleQuadDrain晶體管極性：P-Channel汲極/源極擊穿電壓：20V閘/源擊穿電壓：+/-12V漏極連續(xù)電流：3.9A功率耗散：1100mW最大工作溫度：+150C安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6封裝：Reel最小工作溫度：-55CStandardPackQty：3000

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