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深圳市福田區(qū)佳廣電子商行二部

VISHAY/威世

21

165000

1206-8

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SI5499DC-T1-E3

深圳市福田區(qū)佳廣電子商行

VISHAY/威世

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100830

1206-8

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SI5499DC-T1-E3

深圳市福田區(qū)佳廣電子商行

VISHAY/威世

23

96530

1206-8

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SI5499DC-T1-E3

深圳市福田區(qū)博系電子經(jīng)營部

VISHAY/威世

20042006

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深圳市尚上電子有限公司

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深圳市福田區(qū)華德豐電子商行

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深圳市富昌威科技有限公司

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SI5499DC-T1-E3相關(guān)信息:

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭:MOSFET,GaNFET - 單 系列:TrenchFET®FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 特點(diǎn):邏輯電平門開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:36 毫歐 @ 5.1A, 4.5V漏極至源極電壓(Vdss):8V電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:6AId 時(shí)的 Vgs(th)(最大):800mV @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 8V在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1290pF @ 4V功率 - 最大:6.2W安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1206-8 ChipFET™包裝:帶卷 (TR)供應(yīng)商設(shè)備封裝:*其它名稱:SI5499DC-T1-E3TR

SI5499DC-T1-E3相關(guān)資料:
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