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SI7850DP-T1-E3相關(guān)信息：

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號RoHS：是配置：SingleQuadDrainTripleSource晶體管極性：N-Channel電阻汲極/源極RDS（導(dǎo)通）：0.031Ohms汲極/源極擊穿電壓：60V閘/源擊穿電壓：+/-20V漏極連續(xù)電流：6.2A功率耗散：1.8W最大工作溫度：+150C安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8封裝：Reel最小工作溫度：-55CStandardPackQty：3000

SI7850DP-T1-E3相關(guān)資料：

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	SI7850DP-T1-E3	SILICONIX/硅尼克斯		下載
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