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型號(hào) |
供應(yīng)商
|
品牌 | 批號(hào) | 數(shù)量 | 封裝 | 交易說(shuō)明 | 詢價(jià) |
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SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
23 |
96530
|
QFN-6 |
|
||
SiA811DJ-T1-GE3
|
SK/森浦科
|
24+ |
73179
|
QFN2X2 |
MOS LDO AMPS
|
|
|
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
21 |
66000
|
QFN-6 |
|
||
SiA811DJ-T1-GE3
|
臺(tái)產(chǎn)
|
25+ |
61600
|
QFN2X2 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
COVASON/昌貫
|
24+ |
56328
|
PowerPAKSC-70-6 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
23 |
28800
|
QFN-6 |
|
||
SiA811DJ-T1-GE3
|
NK/南科功率
|
2025+52000 |
27002
|
QFN2X2 |
國(guó)產(chǎn)供大量
|
|
|
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
2019+ |
26321
|
DFN |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
2021+ |
5830
|
DFN2*2-6 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
NK/南科功率
|
2025+ |
3000
|
DFN2X2 |
20V P 通道
|
|
|
VISHAY/威世
|
08+ |
2995
|
DFN-6 |
|
|||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
0818+ |
2835
|
DFN22-6L |
VISHAY
|
|
|
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
0818+ |
2835
|
DFN22-6L |
VISHAY
|
|
|
VISHAY/威世
|
0824+ |
1517
|
SC70-6 |
|
|||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
0824+ |
1517
|
SC70-6 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
08+ |
1292
|
BGA |
|
||
VISHAY/威世
|
0824PB |
1213
|
BGA |
|
|||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
08+PB |
1208
|
SMD |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
08+ |
988
|
QFN |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
08+ |
783
|
DFN6 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
15+ |
505
|
QFN |
|
||
VISHAY/威世
|
0815+ |
413
|
BGA |
|
|||
VISHAY/威世
|
08+ |
345
|
SOT |
|
|||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
18+ |
50
|
SC70-6 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
18+ |
50
|
SC70-6 |
|
||
SIA811DJ-T1-GE3
|
|
25
|
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類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭:MOSFET,GaNFET - 單 系列:-FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 特點(diǎn):二極管(隔離式)開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:94 毫歐 @ 2.8A, 4.5V漏極至源極電壓(Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4.5AId 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 8V在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :355pF @ 10V功率 - 最大:6.5W安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK® SC-70-6 雙包裝:帶卷 (TR)供應(yīng)商設(shè)備封裝:*
SIA811DJ-T1-GE3的搜索指數(shù)、商家競(jìng)價(jià)均價(jià)、商家總數(shù)以及庫(kù)存量等烽火指數(shù)情況 點(diǎn)擊查看